Gallium Arsenide GaAs

Katrangan

Gallium arsenideGaAs yaiku semikonduktor senyawa longkangan band langsung saka klompok III-V disintesis dening paling 6N 7N gallium kemurnian dhuwur lan unsur arsenik, lan kristal thukul dening VGF utawa proses LEC saka kemurnian dhuwur polycrystalline gallium arsenide, werna abu-abu katon, kristal kubik karo struktur seng-campuran.Kanthi doping karbon, silikon, tellurium utawa seng kanggo entuk konduktivitas tipe-n utawa tipe-p lan semi-insulating, kristal InAs silinder bisa diiris lan digawe dadi kothong lan wafer kanthi potongan, etched, polesan utawa epi. -siap kanggo MBE utawa MOCVD epitaxial wutah.Wafer Gallium Arsenide utamane digunakake kanggo nggawe piranti elektronik kayata dioda pemancar sinar inframerah, dioda laser, jendela optik, transistor efek medan FET, linear IC digital lan sel surya.Komponen GaAs migunani ing frekuensi radio ultra-dhuwur lan aplikasi ngoper elektronik cepet, aplikasi amplifikasi sinyal sing lemah.Salajengipun, substrat Gallium Arsenide minangka bahan sing cocog kanggo nggawe komponen RF, frekuensi gelombang mikro lan IC monolitik, lan piranti LED ing komunikasi optik lan sistem kontrol kanggo mobilitas balai jenuh, daya dhuwur lan stabilitas suhu.

Pangiriman

Gallium Arsenide GaAs ing Western Minmetals (SC) Corporation bisa disedhiyakake minangka bongkahan polikristalin utawa wafer kristal tunggal ing wafer sing dipotong, diukir, dipoles, utawa siap epi kanthi ukuran 2" 3" 4 "lan 6" (50mm, 75mm, 100mm, 150mm), kanthi konduktivitas tipe-p, tipe-n utawa semi-insulasi, lan orientasi <111> utawa <100>.Spesifikasi khusus kanggo solusi sing sampurna kanggo para pelanggan ing saindenging jagad.

Enquiry saiki

Rincian

Tag

Spesifikasi Teknis

Gallium arsenide

GaAs

Gallium Arsenide GaAswafer utamane digunakake kanggo nggawe piranti elektronik kayata dioda pemancar sinar inframerah, dioda laser, jendela optik, transistor efek medan FET, linear IC digital lan sel surya.Komponen GaAs migunani ing frekuensi radio ultra-dhuwur lan aplikasi ngoper elektronik cepet, aplikasi amplifikasi sinyal sing lemah.Salajengipun, substrat Gallium Arsenide minangka bahan sing cocog kanggo nggawe komponen RF, frekuensi gelombang mikro lan IC monolitik, lan piranti LED ing komunikasi optik lan sistem kontrol kanggo mobilitas balai jenuh, daya dhuwur lan stabilitas suhu.

Ora.	barang	Spesifikasi standar
1	Ukuran	2"	3"	4"	6"
2	Dhiameter mm	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5
3	Metode Pertumbuhan	VGF	VGF	VGF	VGF
4	Tipe Konduktivitas	N-Type/Si utawa Te-doped, P-Type/Zn-doped, Semi-Insulating/Un-doped
5	Orientasi	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°
6	Ketebalan μm	350±25	625±25	625±25	650±25
7	Orientasi Flat mm	17±1	22±1	32±1	Notch
8	Identifikasi Flat mm	7±1	12±1	18±1	-
9	Resistivitas Ω-cm	(1-9)E(-3) kanggo tipe-p utawa tipe-n, (1-10)E8 kanggo semi-isolasi
10	Mobilitas cm2/vs	50-120 kanggo tipe-p, (1-2.5)E3 kanggo tipe-n, ≥4000 kanggo semi-isolasi
11	Konsentrasi Pembawa cm-3	(5-50)E18 kanggo tipe-p, (0.8-4)E18 kanggo tipe-n
12	TTV μm maks	10	10	10	10
13	Bow μm maks	30	30	30	30
14	Warp μm maks	30	30	30	30
15	EPD cm-2	5000	5000	5000	5000
16	Lumahing Rampung	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	Packing	Wafer wafer tunggal disegel ing tas komposit aluminium.
18	pangandikan	Wafer GaAs kelas mekanik uga kasedhiya yen dikarepake.

Formula Linear	GaAs
Bobot Molekul	144.64
Struktur kristal	Campuran seng
Penampilan	Gray kristal solid
Titik Lebur	1400°C, 2550°F
Titik didih	N/A
Kapadhetan ing 300K	5,32 g/cm³
Gap Energi	1,424 eV
Resistivitas intrinsik	3.3E8 Ω-cm
Nomer CAS	1303-00-0
Nomer EC	215-114-8

Gallium Arsenide GaAsing Western Minmetals (SC) Corporation bisa disedhiyakake minangka bongkahan polikristalin utawa wafer kristal tunggal ing wafer sing dipotong, diukir, dipoles, utawa siap epi kanthi ukuran 2" 3" 4 "lan 6" (50mm, 75mm, 100mm). , 150mm), kanthi konduktivitas tipe-p, tipe-n utawa semi-isolasi, lan orientasi <111> utawa <100>.Spesifikasi khusus kanggo solusi sing sampurna kanggo para pelanggan ing saindenging jagad.