Indium Phosphide InP

Katrangan

Indium Phosphide InP,CAS No.22398-80-7, titik lebur 1600°C, semikonduktor senyawa biner saka kulawarga III-V, struktur kristal "seng blende" kubik sing dipusatake ing pasuryan, identik karo sebagian besar semikonduktor III-V, disintesis saka 6N 7N kemurnian dhuwur indium lan unsur fosfor, lan thukul dadi kristal siji dening LEC utawa VGF technique.Kristal Indium Phosphide didoping dadi konduktivitas tipe-n, tipe-p utawa semi-insulating kanggo fabrikasi wafer luwih nganti diameter 6 ″ (150 mm), sing nduweni celah pita langsung, mobilitas elektron lan bolongan sing dhuwur lan efisien termal. konduktivitas.Indium Phosphide InP Wafer prime utawa test grade ing Western Minmetals (SC) Corporation bisa ditawakake kanthi konduktivitas tipe-p, tipe-n lan semi-insulating kanthi ukuran 2 "3" 4 "lan 6" (nganti 150mm) diameteripun, orientasi <111> utawa <100> lan kekandelan 350-625um karo Rampung lumahing etched lan polesan utawa proses Epi-siap.Ingot Indium Phosphide Single Crystal 2-6″ kasedhiya yen dijaluk.Polycrystalline Indium Phosphide InP utawa Multi-kristal InP ingot ing ukuran D(60-75) x Length (180-400) mm 2.5-6.0kg karo konsentrasi operator kurang saka 6E15 utawa 6E15-3E16 uga kasedhiya.Sembarang specification selaras kasedhiya ing panyuwunan kanggo entuk solusi sampurna.

Aplikasi

Indium Phosphide InP wafer digunakake akeh kanggo manufaktur komponen optoelektronik, piranti elektronik daya dhuwur lan frekuensi dhuwur, minangka substrat kanggo piranti opto-elektronik adhedhasar indium-gallium-arsenide (InGaAs) epitaxial.Indium Phosphide uga ana ing pabrikan kanggo sumber cahya sing njanjeni banget ing komunikasi serat optik, piranti sumber daya gelombang mikro, amplifier gelombang mikro lan piranti FET gerbang, modulator lan detektor foto kanthi kacepetan dhuwur, lan navigasi satelit lan liya-liyane.

Enquiry saiki

Rincian

Tag

Spesifikasi Teknis

Indium Phosphide InP

Kristal Tunggal Indium PhosphideWafer (InP crystal ingot utawa Wafer) ing Western Minmetals (SC) Corporation bisa ditawakake kanthi konduktivitas tipe-p, tipe-n lan semi-insulating kanthi ukuran 2 "3" 4 "lan 6" (nganti 150mm) diameteripun, orientasi <111> utawa <100> lan kekandelan 350-625um karo Rampung lumahing etched lan polesan utawa proses Epi-siap.

Indium Phosphide Kab Polikristalinutawa Multi-Crystal ingot (InP poly ingot) ing ukuran D(60-75) x L(180-400) mm 2,5-6,0kg karo konsentrasi operator kurang saka 6E15 utawa 6E15-3E16 kasedhiya.Sembarang specification selaras kasedhiya ing panyuwunan kanggo entuk solusi sampurna.

Ora.	barang	Spesifikasi Standar
1	Kristal Tunggal Indium Phosphide	2"	3"	4"
2	Dhiameter mm	50,8 ± 0,5	76.2±0.5	100±0.5
3	Metode Pertumbuhan	VGF	VGF	VGF
4	Konduktivitas	P/Zn-doped, N/(S-doped utawa un-doped), Semi-isolasi
5	Orientasi	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Ketebalan μm	350±25	600±25	600±25
7	Orientasi Flat mm	16±2	22±1	32.5±1
8	Identifikasi Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilitas cm2/Vs	50-70, > 2000, (1.5-4)E3
10	Konsentrasi Pembawa cm-3	(0.6-6)E18, ≤3E16
11	TTV μm maks	10	10	10
12	Bow μm maks	10	10	10
13	Warp μm maks	15	15	15
14	Kapadhetan Dislokasi cm-2 maks	500	1000	2000
15	Lumahing Rampung	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Packing	Wafer wafer tunggal disegel ing tas komposit aluminium.

Ora.	barang	Spesifikasi Standar
1	Ingot Indium Phosphide	Poly-Crystalline utawa Multi-Crystal Ingot
2	Ukuran Kristal	D(60-75) x L(180-400) mm
3	Bobot saben Crystal Ingot	2,5-6,0 Kg
4	mobilitas	≥3500 cm²/ VS
5	Konsentrasi Carrier	≤6E15, utawa 6E15-3E16 cm^-3
6	Packing	Saben ingot kristal InP ana ing tas plastik sing disegel, 2-3 ingot ing siji kothak karton.

Formula Linear	InP
Bobot Molekul	145.79
Struktur kristal	Campuran seng
Penampilan	kristal
Titik Lebur	1062°C
Titik didih	N/A
Kapadhetan ing 300K	4,81 g/cm³
Gap Energi	1.344 eV
Resistivitas intrinsik	8.6E7 Ω-cm
Nomer CAS	22398-80-7
Nomer EC	244-959-5

Indium Phosphide InP Waferdigunakake digunakake kanggo manufaktur komponen optoelektronik, daya dhuwur lan piranti elektronik frekuensi dhuwur, minangka substrat kanggo epitaxial indium-gallium-arsenide (InGaAs) adhedhasar piranti opto-elektronik.Indium Phosphide uga ana ing pabrikan kanggo sumber cahya sing njanjeni banget ing komunikasi serat optik, piranti sumber daya gelombang mikro, amplifier gelombang mikro lan piranti FET gerbang, modulator lan detektor foto kanthi kacepetan dhuwur, lan navigasi satelit lan liya-liyane.