Single Crystal Germanium Wafer / Ingot Featured Image

Tunggal Crystal Germanium Wafer / Ingot

Katrangan

Tunggal Crystal Germanium Wafer/ingotutawa germanium monokristalin katon werna abu-abu salaka, titik lebur 937°C, kapadhetan 5,33 g/cm³.A germanium kristal rapuh lan duwe plastisitas cilik ing suhu kamar.germanium kemurnian dhuwur diduweni dening zona ngambang lan doped karo indium lan gallium utawa antimony kanggo gain konduktivitas n-jinis utawa p-jinis, kang nduweni mobilitas elektron dhuwur lan mobilitas bolongan dhuwur, lan bisa digawe panas listrik kanggo anti-fogging utawa anti-icing. aplikasi.Single Crystal Germanium ditanam kanthi teknologi VGF Vertical Gradient Freeze kanggo mesthekake stabilitas kimia, tahan korosi, transmisi sing apik, indeks bias sing dhuwur banget lan tingkat kesempurnaan kisi sing dhuwur.

Aplikasi

Germanium Kristal Tunggal nemokake aplikasi janjeni lan sudhut, kang kelas elektronik digunakake kanggo dioda lan transistor, infrared utawa optik kelas germanium kosong utawa jendhela kanggo IR optik jendhela utawa disk, komponen optik digunakake ing wengi sesanti lan thermographic solusi imaging kanggo keamanan, pangukuran suhu remot, pertempuran geni lan peralatan ngawasi industri, entheng doped P lan N jinis Germanium wafer bisa uga digunakake kanggo Hall efek eksperimen.Kelas sel kanggo substrat sing digunakake ing sel solar triple-junction III-V lan kanggo sistem PV Konsentrasi daya sel surya lsp.

Enquiry saiki

Rincian

Tag

Spesifikasi Teknis

Germanium Kristal Tunggal

Tunggal Crystal Germanium Wafer utawa Ingotkanthi konduktivitas lan orientasi tipe-n, p-type lan un-doped <100> ing Western Minmetals (SC) Corporation bisa dikirim kanthi ukuran diameter 2, 3, 4 lan 6 inci (50mm, 75mm, 100mm lan 150mm) kanthi Rampung lumahing etched utawa polesan ing paket kothak umpluk utawa kaset kanggo wafer lan ing tas plastik nutup kanggo ingot karo kothak karton njaba, ingot germanium polycrystalline uga kasedhiya ing request, utawa minangka specification selaras kanggo entuk solusi sampurna.

Simbol	Ge
Nomer atom	32
Bobot atom	72.63
Kategori unsur	Metaloid
Kelompok, Periode, Blok	14, 4, P
Struktur kristal	Inten
warna	Putih abu-abu
Titik Lebur	937°C, 1211,40K
Titik didih	2833°C, 3106K
Kapadhetan ing 300K	5,323 g/cm³
Resistivitas intrinsik	46 Ω-cm
Nomer CAS	7440-56-4
Nomer EC	231-164-3

Ora.	barang	Spesifikasi Standar
1	Germanium Wafer Kab	2"	3"	4"	6"
2	Dhiameter mm	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5
3	Metode Pertumbuhan	VGF utawa CZ	VGF utawa CZ	VGF utawa CZ	VGF utawa CZ
4	Konduktivitas	P-jinis / doped (Ga utawa In), N-jinis/ doped Sb, Un-doped
5	Orientasi	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°
6	Ketebalan μm	145, 175, (500-1000)
7	Resistivitas Ω-cm	0,001-50	0,001-50	0,001-50	0,001-50
8	Mobilitas cm2/Vs	> 200	> 200	> 200	> 200
9	TTV μm maks	5, 8, 10	5, 8, 10	5, 8, 10	5, 8, 10
10	Bow μm maks	15	15	15	15
11	Warp μm maks	15	15	15	15
12	Dislokasi cm-2 maks	300	300	300	300
13	EPD cm-2	<4000	<4000	<4000	<4000
14	Jumlah Partikel a/wafer maks	10 (ing ≥0,5μm)	10 (ing ≥0,5μm)	10 (ing ≥0,5μm)	10 (ing ≥0,5μm)
15	Lumahing Rampung	P / E, P / P utawa minangka dibutuhake
16	Packing	Wadhah wafer tunggal utawa kaset ing njero, kothak karton ing njaba

Ora.	barang	Spesifikasi Standar
1	Germanium Ingot	2"	3"	4"	6"
2	Jinis	Tipe-P / doped (Ga, In), Tipe-N/ doped (As, Sb), Un-doped
3	Resistivitas Ω-cm	0.1-50	0.1-50	0.1-50	0.1-50
4	Carrier Lifetime μs	80-600	80-600	80-600	80-600
5	Ingot Length mm	140-300	140-300	140-300	140-300
6	Packing	Disegel ing tas plastik utawa kothak umpluk nang, kothak karton njaba
7	Tetembungane	Ingot germanium polycrystalline kasedhiya yen dikarepake

Germanium Kristal Tunggalnemokake aplikasi janjeni lan sudhut, kang kelas elektronik digunakake kanggo dioda lan transistor, infrared utawa optik kelas germanium kosong utawa jendhela kanggo IR optik jendhela utawa disk, komponen optik digunakake ing wengi sesanti lan thermographic solusi imaging kanggo keamanan, pangukuran suhu remot, pertempuran geni lan peralatan ngawasi industri, entheng doped P lan N jinis Germanium wafer bisa uga digunakake kanggo Hall efek eksperimen.Kelas sel kanggo substrat sing digunakake ing sel solar triple-junction III-V lan kanggo sistem PV Konsentrasi daya sel surya lsp.