Gallium Phosphide GaP

Katrangan

Gallium Phosphide GaP, semikonduktor penting saka sifat listrik unik minangka bahan senyawa III-V liyane, kristal ing struktur ZB kubik sing stabil kanthi termodinamika, minangka bahan kristal semitransparan oranye-kuning kanthi celah pita ora langsung 2.26 eV (300K), yaiku disintesis saka gallium lan fosfor kemurnian dhuwur 6N 7N, lan thukul dadi kristal tunggal kanthi teknik Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).Kristal Gallium Phosphide minangka doped belerang utawa tellurium kanggo entuk semikonduktor tipe-n, lan seng didoped minangka konduktivitas tipe-p kanggo nggawe luwih lanjut dadi wafer sing dikarepake, sing nduweni aplikasi ing sistem optik, elektronik lan piranti optoelektronik liyane.Wafer Crystal GaP Tunggal bisa disiapake Epi-Ready kanggo aplikasi epitaxial LPE, MOCVD lan MBE.Kualitas tinggi kristal tunggal Gallium phosphide GaP wafer p-type, n-type utawa konduktivitas undoped ing Western Minmetals (SC) Corporation bisa ditawakake ukuran 2″lan 3” (50mm, 75mm diameter), orientasi <100>,<111 > karo Rampung lumahing minangka-Cut, polesan utawa epi-siap proses.

Aplikasi

Kanthi efisiensi rendah saiki lan dhuwur ing pemancar cahya, wafer Gallium phosphide GaP cocok kanggo sistem tampilan optik minangka dioda pemancar cahya abang, oranye, lan ijo sing murah lan lampu latar LCD kuning lan ijo, lan manufaktur chip LED padhange kurang nganti medium, GaP uga diadopsi sacara wiyar minangka landasan dhasar kanggo sensor infra merah lan manufaktur kamera ngawasi.

Enquiry saiki

Rincian

Tag

Spesifikasi Teknis

Gallium Phosphide GaP

Wafer kristal tunggal Gallium Phosphide GaP utawa substrat p-type, n-type utawa konduktivitas undoped ing Western Minmetals (SC) Corporation bisa ditawakake kanthi ukuran diameter 2 "lan 3" (50mm, 75mm), orientasi <100> , <111> karo Rampung lumahing minangka-Cut, lapped, etched, polesan, epi-siap diproses ing wafer siji wafer disegel ing tas aluminium komposit utawa minangka specification selaras kanggo solusi sampurna.

Ora.	barang	Spesifikasi standar
1	Ukuran GaP	2"
2	Dhiameter mm	50,8 ± 0,5
3	Metode Pertumbuhan	LEC
4	Tipe Konduktivitas	Tipe P/Zn-doped, N-type/(S, Si, Te)-doped, Un-doped
5	Orientasi	<1 1 1> ± 0,5°
6	Ketebalan μm	(300-400) ± 20
7	Resistivitas Ω-cm	0.003-0.3
8	Orientasi Flat (OF) mm	16±1
9	Identifikasi Flat (IF) mm	8±1
10	Hall Mobilitas cm2/Vs min	100
11	Konsentrasi Pembawa cm^-3	(2-20) E17
12	Kapadhetan Dislokasi cm^-2maks	2.00E+05
13	Lumahing Rampung	P/E, P/P
14	Packing	Wafer wafer tunggal disegel ing tas komposit aluminium, kothak karton ing njaba

Formula Linear	GaP
Bobot Molekul	100.7
Struktur kristal	Campuran seng
Penampilan	Oranye padat
Titik Lebur	N/A
Titik didih	N/A
Kapadhetan ing 300K	4,14 g/cm³
Gap Energi	2.26 eV
Resistivitas intrinsik	N/A
Nomer CAS	12063-98-8
Nomer EC	235-057-2

Gallium Phosphide GaP Wafer, kanthi efisiensi cahya sing sithik lan dhuwur, cocok kanggo sistem tampilan optik minangka dioda pemancar cahya abang, oranye, lan ijo sing murah lan lampu latar LCD kuning lan ijo lan liya-liyane lan manufaktur chip LED kanthi kurang nganti medium. padhange, GaP uga diadopsi sacara wiyar minangka landasan dhasar kanggo sensor infra merah lan manufaktur kamera ngawasi.